Родилась 6 апреля 1946 г. в Свердловске.

Доктор физико-математических наук (1993).

Окончила физический факультет Уральского университета (1968).

С 1968 г. работает в Институте физики металлов УрО РАН, главный научный сотрудник.

С 1994 по 2000 г. преподавала на физическом факультете Уральского университета. Читала лекции по электронной структуре переходных металлов и соединений, спецкурс «Функциональные и конструкционные материалы».

Основные направления научных исследований – изучение оптических и магнитооптических явлений в магнитных полупроводниках на основе Зd- и 4f-переходных элементов, оптическая спектроскопия сильнокоррелированных систем, разработка магнитоуправляемых оптоэлектронных устройств инфракрасного диапазона.

К наиболее существенным результатам исследований Н. Н. Лошкаревой относятся: обнаружение эффекта магнитопоглощения на носителях заряда в хромхалькогенидных шпинелях и его анизотропии; разработка на основе этого эффекта принципиально нового модулятора и анализатора поляризации инфракрасного излучения; разработка технологии получения пленок окиси европия с повышенной температурой Кюри; обнаружение методами оптической спектроскопии фазово-неоднородных состояний в сильно коррелированных соединениях на основе оксида меди и в манганитах лантана.

Автор более 250 публикаций, 11 изобретений.